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如何解決與防護(hù)手機(jī)靜電放電的ESD問(wèn)題

發(fā)布日期:2015/7/20  文章來(lái)源:中明科技

  靜電無(wú)處不在,手機(jī)靜電放電的ESD問(wèn)題不容忽視,它可能會(huì)造成手機(jī)工作異常、死機(jī),甚至損壞并引發(fā)其他的安全問(wèn)題。所以在手機(jī)上市之前,我國(guó)都強(qiáng)行要求進(jìn)行入網(wǎng)測(cè)試,而入網(wǎng)測(cè)試中明確要求進(jìn)行ESD和其它浪涌沖擊的測(cè)試。其中接觸放電需要做到%26;#177;8kV靜電正常,空氣放電需要做到%26;#177;15kV靜電正常,這就對(duì)ESD的設(shè)計(jì)提出了較高的要求。

  如何解決與防護(hù)手機(jī)中ESD問(wèn)題?
  1、殼體的設(shè)計(jì)
  如果將釋放的靜電看成是洪水的話,那么主要的解決方法與治水類似,就是“堵”和“疏”。如果有一個(gè)理想的殼體是密不透風(fēng)的,靜電也就無(wú)從而入,當(dāng)然不會(huì)有靜電問(wèn)題了。但實(shí)際的殼體在合蓋處常有縫隙,而且許多還有金屬的裝飾片,所以一定要加以注意。 其一,用“堵”的方法。盡量增加殼體的厚離,即增加外殼到電路板之間的距離,或者通過(guò)一些等效方法增加殼體氣隙的距離,這樣可以避免或者大大減少ESD的能量強(qiáng)度。 通過(guò)結(jié)構(gòu)的改進(jìn),可以增大外殼到內(nèi)部電路之間氣隙的距離,從而使ESD的能量大大減弱。根據(jù)經(jīng)驗(yàn),8kV的ESD在經(jīng)過(guò)4mm的距離后能量一般衰減為零。 其二,用“疏”的方法,可以用EMI油漆噴涂在殼體的內(nèi)側(cè)。EMI油漆是導(dǎo)電的,可以看成是一個(gè)金屬的屏蔽層,這樣可以將靜電導(dǎo)在殼體上;再將殼體與PCB(Printed Circuit Board)的地連接,將靜電從地導(dǎo)走。這樣處理的方法除了可以防止靜電,還能有效抑制EMI的干擾。如果有足夠的空間,還可以用一個(gè)金屬屏蔽罩將其中的電路保護(hù)起來(lái),金屬屏蔽罩再連接PCB的GND。用金屬屏蔽罩將模塊保護(hù)起來(lái)。 總之,ESD設(shè)計(jì)殼體上需要注意很多地方,首先是盡量不讓ESD進(jìn)入殼體內(nèi)部,最大限度地減弱其進(jìn)入殼體的能量。對(duì)于進(jìn)入殼體內(nèi)部的ESD盡量將其從GND導(dǎo)走,不要讓其危害電路的其它部分。殼體上的金屬裝飾物使用時(shí)一定要小心,因?yàn)楹芸赡軒?lái)意想不到的結(jié)果,需要特別注意。
  2、手機(jī)PCB設(shè)計(jì)
  手機(jī)PCB(Printed Circuit Board)都是高密度板,通常為6層板。隨著密度的增加,趨勢(shì)是使用8層板,其設(shè)計(jì)一直都需要考慮性能與面積的平衡。一方面,越大的空間可以有更多的空間擺放元器件,同時(shí),走線的線寬和線距越寬,對(duì)于EMI、音頻、ESD等各方面性能都有好處。另一方面,手機(jī)體積設(shè)計(jì)的小巧又是趨勢(shì)與需要。所以,設(shè)計(jì)時(shí)需要找到平衡點(diǎn)。就ESD問(wèn)題而言,設(shè)計(jì)上需要注意的地方很多,尤其是關(guān)于GND布線的設(shè)計(jì)以及線矩,很有講究。
  PCB設(shè)計(jì)中應(yīng)該注意的要點(diǎn):
 。1)PCB板邊(包括通孔Via邊界)與其它布線之間的距離應(yīng)大于0.3mm;
 。2)PCB的板邊最好全部用GND走線包圍;
 。3)GND與其它布線之間的距離保持在0.2mm~0.3mm;
 。4)Vbat與其它布線之間的距離保持在0.2mm~0.3mm;
  (5)重要的線如Reset、Clock等與其它布線之間的距離應(yīng)大于0.3mm;
  (6)大功率的線如PA等與其它布線之間的距離保持在0.2mm~0.3mm;
 。7)不同層的GND之間應(yīng)有盡可能多的通孔(VIa)相連;
 。8)在最后的鋪地時(shí)應(yīng)盡量避免尖角,有尖角應(yīng)盡量使其平滑。
  3、手機(jī)電路設(shè)計(jì)
  在殼體和PCB的設(shè)計(jì)中,對(duì)ESD問(wèn)題加以注意之后,ESD還會(huì)不可避免地進(jìn)入到手機(jī)電路中,尤其是以下幾個(gè)部件:SIM卡的CPU讀卡電路、鍵盤電路、耳機(jī)、麥克風(fēng)電路、數(shù)據(jù)接口、電源接口、USB接口、彩屏LCD驅(qū)動(dòng)接口,這些部位很可能將人體的靜電引入手機(jī)中。所以,需要在這些部分中使用ESD防護(hù)器件。ESD防護(hù)器件主要有以下幾種:
 。1)氣體放電管(GDT)。它是具有一定氣密的玻璃或陶瓷外殼,中間充滿穩(wěn)定的氣體,如氖或氬,并保持一定壓力。GDT通流量大、極間電容小,可自行恢復(fù),其缺點(diǎn)是響應(yīng)速度太慢,放電電壓不夠精確,壽命短,電性能會(huì)隨時(shí)間變化。
 。2)壓敏電阻(MOV)。它是陶瓷元件,將氧化鋅和添加劑在一定條件下“燒結(jié)”,電阻受電壓的強(qiáng)烈影響,其電流隨著電壓的升高而急劇上升。壓敏電阻內(nèi)部發(fā)熱量很大,其缺點(diǎn)是響應(yīng)速度慢,性能會(huì)因多次使用而變差,極間電容大。
  (3)閘流二極管(TSS)。它是半導(dǎo)體元件,閘流二極管開始時(shí)不會(huì)導(dǎo)通,處于“阻斷”狀態(tài)。當(dāng)“過(guò)電壓”上升到閘流管的“放電電壓”時(shí),導(dǎo)通并產(chǎn)生放電電流;當(dāng)電流下降到最小值時(shí),閘流管會(huì)重新“阻斷”,并恢復(fù)到原來(lái)的“斷路狀態(tài)”。
 。4)瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它是半導(dǎo)體器件,由于其最大特點(diǎn)是快速反應(yīng)(1ns~5ns)、非常低的極間電容(1pf~3pf),很小的漏電流(1μA)和很大的耐流量,尤其是其結(jié)合芯片的方式,非常適合各種接口的防護(hù)。 因?yàn)門VS具有體積小、反應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn),現(xiàn)在的設(shè)計(jì)中使用TVS作為防護(hù)器件的比例越來(lái)越多。在使用時(shí)應(yīng)注意放在需要保護(hù)的器件旁邊,到地的連線盡可能短,器件的布線應(yīng)成串聯(lián)型,而不能布成并聯(lián)型。 ESD的問(wèn)題是眾多重要問(wèn)題之一。在不同的電子設(shè)備中有不同的方式來(lái)避免對(duì)電路的危害。由于手機(jī)體積小、密度大,在ESD的防護(hù)上有獨(dú)到的特點(diǎn)。